Development of a radio frequency magnetron sputtering system for the production of thin films
DOI:
https://doi.org/10.22491/rmct.v40i3.11676.ptKeywords:
Instrumentation, RF Magnetron Sputtering, Thin Films, Structural Properties, Electrical Properties, Optical PropertiesAbstract
This work describes the design, construction and characterization of a radio frequency magnetron sputtering system for thin film deposition. Target-materials with different electrical properties were used for system characterization: copper, indium oxide and silicon dioxide. The films were deposited on glass and silicon substrates, at room temperature, under a pressure of 8x10-4 Torr. The microstructure of the obtained thin films was investigated by X-ray diffraction and atomic force microscopy. Electrical and optical properties were obtained by Hall effect and transmittance measurements, respectively. The results showed that the assembled sputtering system allows the deposition of high quality films with high thickness uniformity. Linear dependence of the deposition rate on the work power was achieved for the deposited films, whose properties were well consistent with those reported in the literature. These results show the control of deposition parameters in the assembled system.
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